- 采用预锂化技术提高首效,将SiO内部硅颗粒尺寸降至5nm
- 采用CVD技术在碳孔中沉积纳米硅,将纳米硅颗粒尺寸降至2nm以下
- 采用石墨烯复合技术,降低膨胀,提高材料的倍率性能和电导率,循环稳定性
石墨烯复合预锂氧化亚硅碳负极
- 脱锂比容量>1300 mAh/g
- 电子电导率>20 S/cm
- 200圈循环,容量保持率95%
石墨烯复合纳米硅碳负极(CVD)
-脱锂比容量>1800 mAh/g
-电子电导率>0.6 S/cm
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